如何看待IGBT 各应用场景参数情况：车规级应用场景温度更高，需要散热处理

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2025-9-4

功率器件。同样体积下，碳化硅功率器件有更高功率密度。（注：碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料，禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高）SiC 模块主要用在更高功率密度的使用场景中，加之其开关频率较高，损耗亦会增加，发热问题依然突出，仍需高性能散热基板来解决散热问题。