> 数据图表一起讨论下长江存储关键专利
2025-9-2年 月 日gszqdatemark长存三期正式注册成立，注册资本高达 207.2 亿元人民币，上游扩产有望提速，看好相关设备材料公司发展机遇。9 月 5 日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（以下简称“长存三期”）正式注册成立，注册资本高达 207.2 亿元人民币。这是继 2021 年长存二期公司成立之后，长江存储在半导体产业的又一重要进展。与长存二期相比，长存三期在成立初期就得到了长江存储的直接出资。该公司由长江存储科技有限责任公司（持股 50.19%）与湖北国资旗下长晟三期投资发展有限责任公司（持股 49.81%）共同出资设立，长江存储董事长陈南翔任法人，注册地址位于武汉东湖新技术开发区。 长江存储持有的混合键合专利数量与台积电相当，三期注册成立或将加速国内 3D NAND、3D DRAM 技术发展。在 3D DRAM 中，需将感应放大器、WL 驱动器、解码器等周边控制电路垂直堆叠，因此要采用类 3D NAND 工艺，分开制作存储单元阵列晶圆与控制电路晶圆后进行混合键合。3D NAND 则通过 W2W 键合实现外围逻辑电路与存储器阵列的垂直堆叠，长江存储的 Xtacking 晶栈技术是典型代表，其 2019 年已量产 128 层 NAND，第五代 232 层 TLC NAND 已出货，最新 Xtacking 4.0 技术应用于 294 层 3D NAND 芯片，该产品是目前堆叠层数与存储密度最高的商用 3D NAND。值得注意的是，长江存储持有的混合键合专利数量与台积电相当，成为中国大陆唯一能与国际厂商抗衡的企业，且凭借专利优势对三星电子、SK 海力士等韩国存储器巨头形成压力其多数关键专利涉及新 3D 存储器件设计，如垂直堆叠的 NANDDRAMSRAM 阵列通过混合键合集成独立芯片、外围电路分布于多键合层等，这些架构可减小基板面积、实现多功能堆叠、促进异构集成，有效克服二维尺寸缩放限制。 
