> 数据图表如何了解2.3 存储测试机： HBM堆叠技术大幅提升测试工艺需求2025-9-02.3 存储测试机： HBM堆叠技术大幅提升测试工艺需求⚫ HBM采用多层DRAM堆叠结构及2.5D封装。与 DRAM 芯片不同,HBM 采用多层“已知良好堆叠芯片”（KGSD）设计，将4层或更多层的DRAM芯片堆叠在逻辑芯片上,每层KGSD 采用了大量的 TSV 和微凸块。且最终的 HBM 产品不是封装级成品而是以 KGSD 的形式提供，这对 HBM 产品的测试提出了重要挑战。⚫ HBM 测试包括晶圆级测试和 KGSD测试，晶圆级测试增加了逻辑芯片测试，KGSD 测试替代了常规的封装级测试。晶圆级测试针对DRAM芯片和逻辑芯片，其中DRAM晶圆测试与常规DRAM测试相同，而逻辑晶圆需要进行逻辑测试。对测试合格的HBM晶圆进行切片和多层堆叠工艺处理，即可形成KGSD产品。HBM KGSD测试包括老化应力测试、高低温条件下的功能、电性能、电参数测试等。◆ 图：HBM内部堆叠及封装结构◆ 图：HBM与传统DRAM测试流程区别数据来源： 《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》（陈煜海等），东吴证券研究所28东吴证券综合其他
