> 数据图表如何解释3.3 减薄机：晶圆呈现超薄化趋势，加工难度变大2025-9-03.3 减薄机：晶圆呈现超薄化趋势，加工难度变大⚫ AI器件小型化要求不断降低芯片封装厚度，晶圆超薄化发展，对减薄机提出更高要求。一般的减薄工艺和晶圆传输方式只能实现对150μm以上厚度晶圆的加工，但随着器件减小，芯片厚度不断减薄，强度随之降低，减薄过程容易形成损伤和微裂纹。以存储器为例，其封装形式主要为叠层封装，封装的层数目前已达到 96 层以上，为满足先进封装要求，在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下，堆叠中各层芯片的厚度就不可避免地需要减薄，一般来说，较为先进的多层封装所用的芯片厚度都在100μm以下甚至30μm以下，呈现柔软、刚性差、实质脆弱等特点，要求其TTV小于 1μm、表面粗糙度Rz<0.01 μm，显著增大加工难度。◆ 图：硅片直径与芯片厚度的变化趋势◆ 图：50 μm厚度、300mm晶圆的柔性数据来源：《超薄晶圆减薄工艺研究》，东吴证券研究所48东吴证券综合其他
