> 数据图表咨询大家半导体设备自主可控势在必行，先进制程突破渐进2025-11-2半导体设备自主可控势在必行，先进制程突破渐进先进制程突破加速。国内半导体设备厂商持续加大研发，重点环节均实现28nm制程突破，去胶、部分刻蚀和清洗已经达到先进制程节点。外部制裁下国内晶圆厂给予国产设备验证机会增多，我国半导体设备从成熟迈向先进制程的节奏提速。公司名称北方华创中微公司拓荆科技设备类型刻蚀薄膜沉积CCPICP薄膜沉积PECVDSACVDALDHDPCVD微导纳米薄膜沉积华海清科芯源微盛美上海至纯科技万业企业CMPTrack清洗清洗离子注入先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用先进制程薄膜沉积设备（14nm）已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用。当前制程及先进制程研发进展1、逻辑：12英寸设备已应用于65nm到5nm及更先进生产线上。应用于28nm及以下的一体化大马士革刻蚀进展良好。2、存储：设备已在64层和128层3D NAND量产先上应用，已通过动态存储器工艺验证并取得订单，60:1极高深宽比刻蚀进展良好。可满足55nm到28nm逻辑芯片ICP刻蚀工艺，在DRAM、3D NAND和存储器件刻蚀应用范围不断拓展。首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。CVD W设备基础上，进一步开发出新型号HAR（高深宽比）W钨设备及ALD W钨设备，这两项设备均为高端存储器件的关键设备，目前已通过客户现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标。应用于高端存储和逻辑的ALD氮化钛设备已进入实验室测试阶段。覆盖全系列 PECVD 薄膜材料，包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料，以及 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si 等先进介质薄膜材料。1、逻辑：完成28nm量产应用，14nm/10nm验证中。2、存储：SiN、SiON、TEOS、ACHM材料已在64层 3D NAND应用，128层3D NAND、19/17nmDRAM产业化验证中。SA TEOS、BPSG、SAF工艺取得客户验证。PEALD SiO2、SiN产业化应用中，TALD 已在获得客户验证。可以同时进行薄膜沉积和溅射，薄膜致密度更高，可以沉积SiO2、FSG、PSG 等介质薄膜材料。通过客户端验证，实现首台的产业化应用，并获得批量重复订单。已开发工艺包括了HKMG技术、柱状电容器、金属化薄膜沉积技术及高深宽比3D DRAM、TSV技术等，并还在持续开发客户需求的IGZO、Nb2O5等新工艺。ALD：获得逻辑、存储、化合物、新型显示批量订单，12寸 28nm逻辑high-k设备获得量产验证。CVD设备已获得客户订单。1、逻辑：实现28nm及以上成熟制程的产业化应用，高端工艺技术水平 14nm制程仍处于客户验证阶段。2、存储：128层 3D NAND、1X/1Y DRAM实现量产。28nm及以上制程全覆盖，offline、I-line、KrF机台实现批量销售，浸没式已完成验证。已应用于逻辑28nm技术节点及 DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片 14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层 3D NAND。已能满足 28nm 全部湿法工艺需求。28nm低能大束流、低能大束流重金属、低能大束流超低温和高能离子注入机已实现商业化。精测电子量检测膜厚设备、OCD 设备、电子束设备均已取得多家客户批量性订单，半导体硅片应力测量设备取得客户订单并完成交付，明场光学缺陷检测设备已取得突破性订单，且完成首台套交付。1、光学膜厚测量设备：可用于28nm FEOL和14nm BEOL节点制程。2、OCD设备适用于28nm节点及以上制程。3.电子束检测设备：1xnm正在验证。中科飞测量检测已量产多款28nm及以上量检测设备，2x nm套刻精度量测设备正在验证，已取得客户订单，1x nm无图形晶圆检测设备处于研发中。42来源：各公司公告，浙商证券研究所整理浙商证券综合其他
