> 数据图表如何了解发展趋势2：SiC具备良好耐高压性能，适配800V高压平台
2025-11-3发展趋势2：SiC具备良好耐高压性能，适配800V高压平台•SiC功率器件可解决800V平台适配痛点。800V平台对零部件提出了高绝缘耐压、高转换效率以及低开关电磁干扰等要求，传统硅功率器件已无法满足。碳化硅功率器件宽禁带、绝缘击穿场强大，具备更高的耐压性能和导热性。• 高压下SiC器件可实现更高效率并提高功率密度，替代Si基是行业发展趋势。根据意法半导体，在400V电压平台下，相较于硅基IGBT，SiC器件有2-4%的效率提升；在750V电压平台下，SiC器件有3.5%-8%的效率提升；根据ROHM的数据，相同规格的SiC MOSFET的尺寸是Si MOSFET的1/10，能够减小产品的体积和重量。图：在400V和800V电压平台下，SiC材料带来的效率提升幅度图：OBC和DC/DC拓扑图及SiC MOSFET器件应用位置OBC 的两级和 DC/DC高压侧的开关管都需要使用更高耐压的SiC MOSFET器件以满足系统电压等级的要求资料来源：德州仪器， 芯语、观研天下、意法半导体，西部证券研发中心请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明10 
