> 数据图表你知道架构原理与技术路线相近，车载电源厂商有望降维拓展AIDC服务器电源2025-11-3架构原理与技术路线相近，车载电源厂商有望降维拓展AIDC服务器电源（2）材料应用趋势一致：AI服务器电源功率密度需提升，关键在于第三代半导体应用。随着服务器电源功率密度需求提升，正在向第三代半导体加速升级。车载电源向碳化硅的迭代基本完成：以欣锐科技为例，公司已全面将碳化硅模组应用于车载电源产品，今年发布的新一代平台开始采用GaN材料。（3）车载电源厂商液冷技术可复用：高功率服务器使用液冷是必然趋势，车载电源已完成风冷向液冷的技术转变。以英伟达NVL72为例，其单柜功率已超120kW，可能导致芯片热流密度超过120 W/cm2，远超风冷散热极限。而液冷技术可提升服务器使用效率及稳定性，预计将成为主流散热方式。车载电源龙头如威迈斯、欣锐的OBC产品均使用液冷技术，可将技术迁移到服务器电源中。（4）相较于工规，车规在可靠性、环境适应性（如振动、电磁兼容）等方面要求更严格，车载电源厂商进入工规领域时具有竞争力。• 根据QYResearch，2024年全球AI服务器电源市场规模大约为28.46亿美元，预计2031年将达到608.1亿美元，2025-2031年CAGR将达45%，为车载电源厂商提供广阔发展空间。功率密度效率最高功率输入电压电磁兼容性表：AIDC服务器电源和车载电源性能对比AIDC服务器电源（以台达5.5KW产品为例）车载电源（以欣锐为例）5.5KW产品：56W/in³（3.4KW/L）；未来8/12KW产品计划做到100W/in³（6KW/L）最高6KW/L5.5KW产品：97.5%正在研发12KW产品未来将做到800V仅满足EMI中的CISPR22标准B等级98%22KW可达800V满足EMC要求（包含EMI和EMS）表：纳微半导体和英飞凌高功率服务器电源产品均使用SiC和GaN混合方案图：服务器电源不同冷却技术的解热能力厂商产品功率方案采用三相LLC拓扑结构，结合650V GaN Safe和第三代快速SiC MOSFET功率密度84.6W/in³纳微半导体英飞凌8.5KW12KW8KW12KW采用第三代快速SiC MOSFET和新型IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错TP-PFC和FB-LLC拓扑结构中的高功率 GaN Safe™氮-化镓功率芯片结合SiC PFC和GaN全桥混合使用硅、氮化镓、碳化硅三类晶体管开关100W/in³100W/in³单柜功率超60KW时必须使用液冷技术数据来源：《相变浸没式液冷系统研究》万积清 2025、纳微芯球公众号、英飞凌官微、三代半食堂公众号、QYR Research、Big-bit电子变压器与电感、台达电子官微、张飞电子电源研发精英圈、欣锐科技官网、NE时代新能源、欣锐科技2024年报、Nvidia developer官网、西部证券研发中心请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明19西部证券综合其他
