> 数据图表咨询下各位传统封装与先进封装技术示意图2025-8-1 2.5D 封装（硅中介层集成）：2.5D 将处理器、存储等若干个芯片并列排布在中介层（Interposer）上，利用 RDL、硅桥、硅通孔（TSV）等技术实现更高密度的互联。2.5D 具备更高的集成密度和更优异的热管理能力，适合高算力与高带宽需求场景。例如台积电 CoWoS 系列即采用 2.5D 封装，为 FPGA、GPU 等高性能产品集成提供解决方案。 3D 封装（硅通孔垂直堆叠）：3D 封装利用硅通孔（TSV）等垂直互联技术，将多个芯片堆叠贯穿，并直接与基板相连。该结构可有效降低封装面积与功耗，支持内存、逻辑芯片的高密度集成，是提升带宽密度与容量的关键技术路径。该技术最早在CMOS 图像传感器中应用，目前可用于 DDR、HBM 等存储芯片封装及部分 3D 逻辑芯片等领域，技术难度最高。华创证券综合其他
