> 数据图表如何了解为何需要先进封装？2025-8-2为何需要先进封装？• 晶圆级封装与面板级封装在系统框架上类似。了解面板级封装前，我们先以晶圆级封装，尤其是扇出型晶圆级封装(FOWLP)为例，了解当前封装技术路线。典型FOWLP工艺起点是从通过将单个器件放置在200mm/300mm载体晶圆上。重组晶圆用环氧模塑成型。模塑扩展了芯片的表面尺寸，所以能够实现更高密度的扇出工艺，放置更多的凸点。移除载体后，将已模塑或重组晶圆翻转，沉积RDL，最后使用模板将焊球放置在RDL布线层，对晶圆上的焊球进行熔合和回流。可以看出，传统意义上的晶圆级封装无需基板，且多以单个芯片为主。但由于可以在一个载体上实现多个芯片的封装，效率较高。• 基于工艺不同，可区分为芯片先置（Chip First）及RDL First。基于器件方向可分为面向上及向下。相对而言，Chip Last（即先进行RDL布线）具有芯片零偏、应力较小，且可以实现更高密度布线，所以其应用于高端市场。➢ 图表： 晶圆级封装工艺流程（芯片先置，Chip First)➢ 图表： 不同工艺扇出型晶圆级封装黏合带载体（carrier）临时键合胶带，提供平整基板用于固定芯片黏合带载体（carrier）黏合带载体（carrier）将已知合格芯片（Known Good Die, KGD）精确放置在临时载体胶带上，间距大于原始晶圆（为扇出布线预留空间）用液态环氧树脂模塑料（EMC）覆盖芯片与载体，填充间隙并固化，形成重构晶圆（Reconstituted Wafer）移除临时载体和胶带（Foil），露出重构晶圆在重构晶圆表面沉积绝缘层，并制作RDL及凸点封装切割分离为单个封装体数据来源：Yole, 金元证券研究所工艺类型核心流程关键特性适用场景Chip First (Face Down)Chip First (Face Up)1. 载板涂覆2. 芯片正面朝下放置于载板3. 环氧树脂塑封 → 固化4. 剥离移除载板5. 芯片表面制作RDL布线层6. RDL上植球7. 切割单颗封装信号路径更短：芯片焊盘→RDL直接连接电气性能更优（寄生效应更低）I/O数量受限：无法使用铜柱互联散热较差（芯片背面被树脂覆盖）1. 载板涂覆2. 芯片正面朝上放置3. 环氧树脂塑封 → 固化4. 芯片表面制作RDL布线层5. RDL上植球6. 移除载板7. 切割单颗封装支持高I/O密度：通过铜柱连接RDL散热更优：芯片背面裸露 布线长度略长于FaceDown版需处理铜柱工艺复杂度中低复杂度封装（如射频模块、传感器）中复杂度封装（如手机APU、基带芯片）Chip Last1. 载板涂覆热释放层2. 先制作RDL布线层3. 芯片正面朝下绑定到RDL4. 环氧树脂塑封 → 固化5. 移除载板6. 底部RDL植球7. 切割单颗封装芯片零偏移：RDL先行确保对位精度支持超精细布线（线宽/间更高端应用领域（如复杂距更小）异质集成）芯片低应力（后置避开高温制程）芯片-RDL需高精度对准金元证券工业制造
