> 数据图表如何才能1. 晶圆代工按照制造工艺分类为先进制程和成熟制程2025-8-31. 晶圆代工按照制造工艺分类为先进制程和成熟制程晶圆代工按照制程可分为先进制程和成熟制程，28nm 以下的为先进制程，28nm 及以上的为成熟制程 核心特点：晶体管密度指数级增长，14nm以下制程每提升一代，性能提升30%+，功耗下降50%。 技术突破：晶体管架构，从FinFET（鳍式场效应）向GAAFET（环绕栅极）演进，台积电3nm工艺已量产。光刻技术，极紫外光刻（EUV）成标配，单台ASML EUV光刻机售价超1.5亿美元。材料革命，钴/钌互连材料替代铜，降低电阻20%以上（三星3nm GAA工艺）。 代表公司：台积电、三星、英特尔。资料来源： CSDN，东兴证券研究所 核心优势：成本仅为先进制程的，工艺稳定、良率超95%，1/10寿命长达10年以上。 技术定位：模拟/混合信号芯片，无需极致密度，追求高精度与抗干扰（如TI的电源管理芯片）。特种工艺优化，BCD（智能功率集成）、eFlash（嵌入式闪存）等技术成熟（华虹半导体55nm eFlash全球市占率25%）。 国产崛起：中芯国际、华虹半导体。东兴证券科技传媒
