> 数据图表各位网友请教一下5. 台积电：2nm工艺基于GAAFET架构2025-8-35. 台积电：2nm工艺基于GAAFET架构台积电的2nm计划于2025年下半年实现量产，2nm工艺基于 GAAFET（环绕栅极晶体管） 架构，这一技术是FinFET的下一代替代方案。集成电路的 5 nm 及以下技术节点的发展是FinFET 向 GAAFET 两种晶体管结构转变的技术阶段。FinFET 结构在 5 nm 以下节点将面临系列挑战：栅间距和金属间距缩小、亚阈值斜率（SS）增加、鳍栅高度的增加导致的电容增大等，需对其沟道材料进一步优化。而GAAFET 采用在纳米线（NW）或纳米片（NS）的四面环栅的结构，比三栅的结构对沟道的电场控制能力更强，在5 nm 及以下节点的发展中具有结构优势，能更好地应对上述技术挑战，提供更高的性能。GAAFET 允许更高的晶体管密度和更小的泄漏电流，从而显著提升整体性能并降低功耗。根据台积电公布的数据，2nm 工艺相比当前主流的 N3E 工艺，提供：10%~15% 的性能提升（在相同功耗下）25%~30% 的功耗降低（在相同性能下）晶体管密度大幅提升，每平方毫米可集成超过3亿个晶体管。语言学习平台台积电2nm工艺的落地将影响多个技术领域：AI 加速器和高性能计算（HPC）：2nm将支撑更高频率、更低功耗的 AI 芯片，有望推动 AI 推理终端化。移动终端与AR/VR设备：性能与能效比的大幅提升，将为下一代可穿戴设备与 XR 技术提供硬件支撑。汽车电子：高级自动驾驶系统对 SoC 性能的要求极高，2nm 将是关键突破点。未来几年，随着高性能终端、AI 推理芯片和智能汽车 SoC 的需求不断增长，2nm 制程将成为高端芯片设计的核心基础。图31：GAAFET是一种新的晶体管结构资料来源：网易，东兴证券研究所东兴证券科技传媒
