> 数据图表如何解释2020-2027E 中国大陆各类半导体设备市场规模核心假设2025-12-1结构变化方面，我们判断刻蚀与薄膜沉积环节价值量占比呈上升趋势。随着晶圆厂在 28nm 及以下制程投资加快，FinFET 与 3D NAND 等先进节点层数显著增加，图形复杂度与结构深度提升推动刻蚀工序密度上升同时，AI 算力芯片与 HBM封装带来更高的介质层、阻挡层及导电层沉积精度要求，使 ALD、CVD、PVD 等薄膜沉积设备单线价值量显著提高。先进封装及多重图案化技术的普及进一步强化了刻蚀与沉积设备的使用强度与附加值，而清洗、氧化扩散等环节占比相对稳定，外延与热处理设备则随功率半导体产线扩张而小幅提升。爱建证券综合其他
