储能+光伏或带动功率器件需求➢ IGBT和SiC MOSFET在导通特性和开关损耗方面存在明显差异。IGBT为双极型器件，其输出特性曲线有明显“拐点”，在小电流（轻载）时因阈值电压导致损耗较高；SiC MOSFET属单极型器件，导通特性近似线性，在轻载下损耗远低于IGBT➢ 在约10A的低电流下IGBT损耗约为SiC的两倍，而约25A时两者损耗相当；在更高电流（重载）下，IGBT的效率甚至略优于SiC。这意味着在不同负载条件下，两种器件各有优势：SiC器件在部分负载下显著提高逆变器效率，而IGBT在满载高压下仍具备性价比优势。➢ 图表：Si IGBT vs SiC MOSFET数据来源：Yole，金元证券研究所
