技术路线上，DRAM 将逐步走向 3D 架构，4F为 3D DRAM 一大技术方向，目前海外大厂已在布局。在约 2000-2010 年 DRAM 主流结构为 8F，即 word line 间距为 4F，bit line 间距为 2F，目前 DRAM 行业主流技术已从 8F切换至 6F，6F通过旋转并偏移晶体管以填充8F布局中存在的空白空间，而下一代将进一步向 4F迭代，通过垂直堆叠方式进一步提高空间利用率，以增大单位面积位元容量，三星下一代 VCT 架构将采用 4F技术，采用垂直结构从下到上依次放置源极、栅极、漏极和电容，并将 word line 和 bit line 分别连接到栅极和源极，从而 word line 和 bit line 的间距各为 2F，形成 4F结构。
