CBA 架构与 4F技术存在技术协同，4FCBA 的方案或将成为 3D DRAM 主流。CBA 架构的核心思想为存储晶圆与外围器件制造的解耦，在 8F与 6F的平面时代，存储晶圆与外围电路可协同制造，而进入 4F的 3D 结构之后，其所需要的工艺条件和材料与高性能外围线路的要求逐渐不兼容，而 CBA 架构将 DRAM 芯片将存储晶圆与外围电路制造解耦，其中一个晶圆包含存储单元阵列及其数十亿个存储电容器和访问晶体管，而第二个晶圆容纳所有外围线路，包括感测放大器、行和列解码器、输入输出驱动器以及控制逻辑，在使用优化技术处理每个晶圆后，再用 wafer to wafer 混合键合的方式连接起来，从而外围电路制造也可以采用比存储阵列更为先进的制程，故综合来讲，CBA 架构与 4F技术存在天然协同，我们认为 4FCBA 在未来有望成为 3D DRAM 的主流方案。
