> 数据图表谁能回答2.2单位面积I/O数量增加是升级方向，2.5D/3D代表未来趋势2025-12-22.2单位面积I/O数量增加是升级方向，2.5D/3D代表未来趋势n 先进封装朝着更细I/O间距和更细RDL线间距方向发展。如前文所述，大数据、AI时代，发展先进封装、提升I/O密度是应有之义。而提升I/O最直观的方式即制造更细的I/O间距（pitch）和更细线间距（L/S）。n 具体而言I/O间距包括：1）混合键合（一种将介电键（SiOx）与嵌入金属（Cu）结合形成互连的工艺技术）时上下die之间的键合间距，2015年时为2μm级别，到2023年有望升级至1μm以下；2）Bumping工艺中Bump（通常称作“凸点”或“凸块”，为先进封装上下层连接的接触部分）间距，2015年在200-150μm，2025年有望达到50μm级别；3）Ball（焊球）间距，2021年之前在1200-350μm级别，2023年有望达300μm级别。而线间距主要指RDL（重新布线层）的L/S（线间距），2015年≥10μm，2023年有望达2μm级别。图表：先进封装发展技术路线图来源：Yole，中泰证券研究所39中泰证券工业制造
