> 数据图表谁能回答2.2 CoWoS技术优势凸出：实现多芯片封装、高密度互连2025-12-22.2 CoWoS技术优势凸出：实现多芯片封装、高密度互连n CoWoS封装技术主要分为CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。Ø 1）CoWoS-S（Silicon）：最早被广泛采用的一种CoWoS技术。它采用硅中介层实现芯片之间的重分布层（RDL）连接，是目前最为成熟的CoWoS技术。Ø 2）CoWoS-R（RDL）：使用高密度I/O的RDL层作为转接板，灵活星高，相较于CoWoS-S技术，成本更低。Ø 3）CoWoS-L（Local）：是CoWoS技术的扩展版，针对需要更大规模集成的应用场景。在硅中介层（-S）和有机中介层（-R）之间，增加了硅桥连接相邻芯片边缘的（超短距离）互连。这些硅片嵌入在有机基板中，既提供了高密度的超短距离连接（具有紧凑的线间距），又具备有机基板上（粗线和层板）的互连和电力分配特性。图表：cowos分为三种类型特点图示类型COWOS-S通常所说的COWOS指的就是COWOS-S，S指Silicon，Interposer是硅片★CoWos类型中成本最高，性能最好，最成熟的技术，相较于RDL interposer，Silicon interposer可以做到更高的布线密度COWOS-RR指RDL，interposer是RDL层，RDL 中介层由聚合物和铜走线组成，在机械上相对灵活★成本降低，灵活性高COWOS-LL指LSI（Local Silicon Interconnect），使用局部的硅桥进行芯片之间的电气互联，硅桥以外的位置使用RDL层或substrate进行代替★针对需要更大规模集成的应用场景来源：台积电官网，中泰证券研究所44中泰证券工业制造
