> 数据图表请问一下2.3 存储供给：扩产谨慎，增加有限2025-12-22.3 存储供给：扩产谨慎，增加有限n DRAM工艺节点正从1a系列加速向1b、1c迭代，预计26年1b节点仍是主力,1c节点率先用于高端产品。Ø 1）三星：三星确认2026年将使用1bDRAM向英伟达供应超过50%的第二代SOCAMM模块，并考虑削减30%-40%1aDRAM产能转向1bDRAM,同时率先使用1cDRAM制造HBM4，与英伟达敲定供货协议，计划通过扩建P4+转换旧制程提升1c产能，26年1c产能有望达到20万片/月。Ø 2）海力士：海力士采用1bDRAM制程生产HBM4，M15X工厂已启动1bDRAM试产线，初始月产量目标为1万片，后续将逐步提升至6万片，同时计划将利川园区的1cDRAM产能扩大至当前的8倍，以满足英伟达、AMD及大型云服务厂商的订单需求。Ø 3）美光：美光采用1β/1bDRAM制程生产HBM4，已向多家客户送样，预计2026年量产，1γ /1cDRAM 制程已用于DDR5、LPDDR5X，并计划逐步拓展至包括GDDR7与数据中心产品在内的整个DRAM产品线。图表：DRAM节点演进图表：原厂DRAM节点路线图来源：芯调查、IT之家、集成芯路、半导体行业观察、斯托瑞吉公众号，王知鱼公众号、全球半导体观察、中泰证券研究所57中泰证券工业制造
