> 数据图表如何才能2.3 存储供给：扩产谨慎，增加有限2025-12-22.3 存储供给：扩产谨慎，增加有限n 3D NAND 技术通过垂直堆叠更多层数打破了平面存储的限制，显著提升存储密度和容量。1）密度提升：从 32 层发展至 128 层期间，单位面积的存储密度（GB/mm²）增长超过 3 倍。2）单片容量提升：虽然3D NAND层数堆叠使同一片晶圆切出Die数量减少约10%，但单片容量可提升50%-60%，在从 128 层向 296 层演进的过程中，单片容量从512GB提高至800GB左右。n 头部厂商正加速迈入300+层时代。三星286L、铠侠286L、美光276L、SK 海力士321L、长存267L在25年纷纷进入量产，海力士是首个突破300L的厂商，其推出的321层QLC NAND单Die容量密度提升100%，达到2Tb，单片晶圆可切割的有效容量产出提升约59%，未来头部厂商将加速NAND向300L以上升级。图表：3D NAND层数演进图表：原厂NAND路线图来源：CFM，半导体行业观察，半导体产业纵横，十二芯座，斯托瑞吉公众号，中泰证券研究所58中泰证券工业制造
