> 数据图表如何解释2.3 存储供需：供给向服务器倾斜，26年供需持续紧张2025-12-22.3 存储供需：供给向服务器倾斜，26年供需持续紧张n 原厂产能倾斜于高景气度的AI数据中心业务，重点投资生产面向AI服务器的HBM和大容量DRAM芯片，以满足AI数据中心对高速、大容量存储的需求，NAND方面也加速向适配数据中心的高密度、高容量产品方向转型。Ø 1）三星：DRAM方面，三星与英伟达签订 HBM4 供应协议，并通过 P4 建设与 P5 重启扩大 HBM 和1c DRAM产能，并通过升级产线+改造NAND产线转产DRAM；NAND方面，重启Z-NAND研发，性能目标达到传统NAND闪存的15倍，同时将功耗降低多达80%，适配AI工作负载需求。Ø 2）海力士：HBM4已通过英伟达验证，M15X、龙仁园区及印第安纳封装厂三线并进扩产，同时发布面向AI负载的AI-NAND家族，并定于2026年4月停产DDR4，将空出产能转进HBM与DDR5。Ø 3）美光：25年8月宣布停止移动NAND，包括UFS 5的开发，2025年12月宣布退出英睿达消费级业务；美光新厂台湾A5厂&日本广岛厂预计聚焦HBM生产，NAND方面也推出基于G9-NAND的三款数据中心SSD。公司三星1）三星已与英伟达敲定HBM4 供应协议，预计2026年量产。2） 三星针对AI低延迟需求重新启动Z-NAND 研发。3）产能：P4厂聚焦HBM4并兼具部分NAND产线，预计26年投产；P5 工厂则在2025年重启建设，预计2028年量产，主要面向 1c DRAM + HBM4。产能向AI数据中心倾斜海力士1）海力士HBM4已通过英伟达验证，预计25Q4开始供货 。2）海力士推出AI-NAND Family 产品组合，其中 AIN-P 面向大规模推理场景，AIN-D 将容量提升至 PB 级，兼具 SSD 性能+ HDD 经济性，而 AIN-B 则采用 HBF 技术通过堆叠 NAND 获取更高带宽。3）产能：M15X厂聚焦下一代DRAM+HBM，预计25年投产；龙仁园区预计将在 2027年底开始贡献部分产能，聚焦 HBM；美国印第安纳州计划建设先进封装工厂，预计于 2028 年完工，专注HBM。美光1）美光宣布停止英睿达（Crucial）品牌的消费级业务。2）美光宣布全球范围停止移动 NAND 开发，包括终止 UFS 5 的研发。3）美光推出三款基于 G9 NAND 打造的数据中心SSD。其中9650 SSD 是全球首款 PCIe 6.0 SSD；6600 ION SSD 面向 AI 数据湖，提供超高密度与空间效率；7600 SSD 则覆盖 AI 推理与混合工作负载，为企业级应用提供领先性能。4）产能：台湾 A5 厂将在 2025 年启动建设、重点聚焦 HBM（投产时间未公布），日本广岛的新厂则计划在 2026 年启用，用于未来 HBM 的量产。来源：半导体芯闻、半导体行业观察、美光官网、半导体材料与工艺设备、AGI知路、半导体产业纵横，中泰证券研究所60中泰证券工业制造
