> 数据图表如何解释先进封装技术演进2026-1-1先进封装技术演进➢ 先进封装的技术演进核心是互连 I/O 数量与带宽密度持续上升：第一代以高密度电子互连为主，从 Si-Interposer、RDL-Interposer 到 EMIB/Co-EMIB（叠加 TSV），再到中介层与桥接器等形态，在微凸块/微铜柱基础上实现从存内堆叠到存算堆叠与算算堆叠的更高集成；➢ 随着间距继续缩小，混合键合（Hybrid Bond）成为提升互连密度与能效的关键。进入第二代，封装不再只通过电连接，而是把光互连引入封装体系（Fiber Optic + 电子互连），面向“未来封装＝小芯片（Chiplets）+ 异构集成 + 光学 I/O”的方向演进，以支撑 AI 时代更高的互连 I/O 需求并缓解带宽与功耗瓶颈。➢ 图表：互连性能提升的技术演进第一代高密度电子互连第二代光学互连 + 电子互连tcennocretnI(量数O/I连互)tnuoCOI存内堆叠 (Memory onMemory)EMIBSi-InterposerRDL-Interposer存算堆叠 (Memoryon Logic)+TSV模塑中介层未来封装小芯片 (Chiplets)+异构集成+光学 IO未来 AI 时代具有更高互连 I/O 数量2018202020222024202620282030数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
