> 数据图表如何解释先进封装技术演进2026-1-1先进封装技术演进➢ 随着系统复杂度提升，封装体积增大，封装正在通过多光罩拼接（multi-reticle stitching）把可制造的最大芯片/中介层面积推到光刻光罩尺寸极限之外，从而获得更大的互连载体来把 GPU 与 HBM 等存储更紧密地集成在一起，满足生成式 AI 驱动的 HPC 对带宽与互连 I/O 的爆发式需求。➢ 此外，传统硅中介层在约 3.3× reticle 规模附近开始受到限制。若要继续放大到 5×、7×乃至 9× reticle（面积从约 2800mm² 提升到约 7470mm²），需要更多转向以 RDL/桥接为基础的有机中介层方案。同时 SoW、SoIC 等系统级封装形态也将借助拼接把系统面积做大，支撑更高集成度与更高带宽。➢ 图表：系统复杂度提升，封装体积增大，需要通过有机中介层+多光罩拼接技术实现ezis elciteR- )量数模掩层介中每(寸尺模掩40.030.020.010.00.0硅中介层的局限性• 当掩模尺寸 > 3.3倍时转向有机中介层 (RDL, Bridge based)~2800mm23.3倍 掩模~4150mm25倍 掩模~4565mm25.5倍 掩模~5810mm27倍 掩模~7470mm29倍 掩模数据来源：金元证券研究所整理20242025TSMC Interposer2026TSMC SoW2027TSMC SoIC2028金元证券工业制造
