> 数据图表如何了解先进封装技术演进2026-1-1先进封装技术演进高性能封装技术2.5D3D超高密度扇出（UHD FO）模封转接板（Mold Interposer）嵌入式硅桥（Embedded Si Bridge）硅中介层（Si Interposer）3D存储器堆叠（3D Memory）3D系统集成（3D SoC）模封芯片+薄膜再布线层+IC载板模塑化合物+薄膜再布线层+IC载板嵌入模塑化合物嵌入IC载板中介层芯片+硅通孔+微凸块+倒装焊凸块+IC载板硅桥EMIB有源中介层无源中介层InFO-X台积电：•• CoWoS-R日月光：• FOCOS矽品精密：• FO-MCM长电科技：• XDFOI安靠：• SWIFT台积电：矽品：•InFO-LSI• FO-MCM• CoWoS-L长电科技：三星：• XDFOI•l-CubeE安靠：日月光：• FOCOS• SWIFTCO-EMIB英特尔：• SapphireRapids英特尔：• Foveros英特尔：• PonteVecchio台积电：• CoWoS-S三星：•l-CubeS• H-CubeUMC微凸块与硅通孔/混合键合W2W直接键合D2W/W2W混合键合HBM3 DS3DNAND StackCBA DRAM三星、SK海力士和美光长江存储、铠侠三星、SK海力士和美光注：• 3 DS =使用硅通孔与微凸块的3D堆叠DRAM• CBA DRAM = 使用W2W• 直接键合的CMOS Bond Array DRAM台积电：• SoIC(3DFabric)• FoverosDirect三星：• X-Cube数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
