> 数据图表如何看待先进封装技术演进-2.5D2026-1-1先进封装技术演进-2.5D➢ 各类型中介层对比来看，硅中介层布线密度高+I/O Pitch小+采用TSV垂直互连且硅的介电常数更低，信号完整度更高，性能上更优，但是随着系统复杂度提升，硅中介层可扩展性及翘曲问题较为严重，成本极高。➢ RDL中介层工艺相对简单且可扩展性较好，适用于成本敏感场景，但I/O密度及互连性能稍弱；模塑中介层（可在模塑材料嵌入硅桥及器件+TSV）可实现超过3.3×光罩尺寸的扩展，兼具性能与成本的平衡，或是未来 Chiplet 异质集成+高系统复杂度的首选。而IC载板内嵌入硅桥省略中介层，直接在基板上完成互连，由于IC载板布线密度与中介层差距较大，性能有下降。参数成本嵌入能力集成能力工艺复杂度布线密度硅中介层（Si Interposer）RDL 中介层（RDL Interposer） 模塑中介层（Mold Interposer）IC 载板内硅桥（Si bridge in ICsubstrate）由于采用带 TSV 的大面积硅中介层，成本非常高无 TSV（成本压力更小）可在较小硅面积上引入 TSV可在较小硅面积上引入 TSV可集成深沟槽电容（DPC）可在 RDL 中嵌入器件高高，需具备 FE（前端）能力高中等可在模塑材料中嵌入器件（复杂度更低）高高，工艺步骤多可在载板中嵌入器件高中等精细金属布线 L/S精细金属布线 L/S精细金属布线 L/S受 IC 载板限制，L/S 更大（线宽/线距更粗）I/O 间距（Pitch）信号完整性是否需要 FE（前端）能力在硅层可实现小间距，>30 µm 可行（但昂贵）良好需要OSAT 可实现性仅适用于 CoW 和 oS 工艺小间距非常好不需要可以在硅桥层可实现小间距，>30 µm可行非常好小间距良好需要（用于硅桥），但 TSV 可选 需要（用于硅桥），但 TSV 可选可以（硅桥晶圆除外）可以（硅桥晶圆除外）翘曲问题可扩展性需要工艺控制需要工艺控制需要工艺控制需要工艺控制受光罩（Reticle）尺寸限制，约 3.3×可扩展至超过 3.3× 光罩尺寸可扩展至超过 3.3× 光罩尺寸可扩展至超过 3.3× 光罩尺寸数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
