> 数据图表一起讨论下先进封装技术演进-2.5D2026-1-1先进封装技术演进-2.5D➢ 硅桥嵌入IC基板及硅桥嵌入模塑中介层对比来看，嵌入IC基板所需要硅桥面积较小，成本低于传统硅中介层，且工艺复杂度、成本略低于模塑中介层，但布线密度及I/O Pitch等互连性能不如模塑中介层方案。方案优势局限嵌入 IC 基板（EMIB）• 具备多芯片互连能力，可采用芯片后装（chip-last）方式实现逻辑芯片与 HBM 集成。• 硅桥裸片可嵌入 IC 基板并进行测试；在后续装配前可进行 KGD（Known Good Die，良品裸片）筛选• 与模塑中介层方案相比，工艺流程复杂度更低。• 装配流程与 OSAT（外包半导体封装测试）及 IC 基板供应商的能力体系兼容。• 硅桥裸片尺寸在工程上几乎没有实际限制。• 由于所需硅面积显著更小，硅桥的硅成本低于硅中介层（Si interposer）。• 虽然与硅中介层相比硅用量更小，但仍需在基板上开腔/挖槽（cavity）以放置硅桥，并通过粘接剂（adhesive）固定；相较传统倒装（flip-chip）会引入额外工序与成本。• 与模塑体内嵌硅桥技术相比，EMIB 可实现的 I/O 间距（pitch）与走线尺度更大（更粗），互连密度相对受限。对于需要更小 I/O pitch 的应用，EMIB 无法完全替代硅中介层。• 多层的大尺寸 IC 基板对热失配更敏感，易出现翘曲（warpage）；需控制硅/IC 基板的比例以确保可靠性。模塑中介层（MoldInterposer）• 具备多芯片互连能力，可采用芯片后装方式实现逻辑芯片与 HBM 集成。• 在硅桥裸片层面可实现局部高密度互连，图形尺度可达亚微米级。• 采用 RDL（Redistribution Layer，重布线层）互连，可获得比 IC 基板更精细的互连及更优的线宽/线距（L/S）缩放，从而改善信号传输。• 装配流程与 OSAT 能力兼容。• 硅桥裸片尺寸在工程上几乎没有实际限制。• 硅桥集成方式灵活：可集成有源或无源硅桥，可带或不带 TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）。• 可在模塑中介层内嵌入组件（有源芯片、存储器、IPD（Integrated Passive Devices，集成无源器件）等）。• 可对硅桥裸片与有源裸片进行 KGD 筛选。• 由于所需硅面积显著更小，硅桥的硅成本低于硅中介层。• 中介层尺寸变大时，芯片—中介层以及中介层—基板之间的 CTE（热膨胀系数）失配更显著，易引发翘曲• 需进行材料 CTE 优化，以避免热失配导致的焊点疲劳、底填（underfill）脱层或开裂。• RDL 可用面积受光罩版图视场（reticle field）限制，但业界正积极开发超视场（larger-than-reticle）中介层。• 扇出重构晶圆（fan-out reconstituted wafer）可能出现芯片位移（die shift）问题。• 装配流程复杂，包含多次芯片贴装步骤，成本高于传统倒装方案或 RDL 中介层。• 硅桥晶圆仍需由晶圆代工厂（foundry）供货；若在硅桥上增加 TSV，将进一步提升工艺与供应链复杂度（相关工艺需由代工厂管理）。数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
