> 数据图表请问一下先进封装技术演进-2.5D2026-1-1先进封装技术演进-2.5D➢ 在具体工艺上，2.5D封装可以分为chip first及chip middle/chip last。Chip-First 工艺将芯片先行放置在载板（胶带或玻璃载片）上，然后整体进行模压成型，形成重构晶圆，通过研磨暴露芯片表面并构建重分布层（RDL），完成铜凸块（C4）制备，然后去载板与基板互连。通常Chip First适用于少量芯片（约2–3片）、较小封装尺寸(<1×光罩)和低层数RDL（2~3层）➢ Chip-Last 工艺先在载板上直接构建Fan-Out RDL基板（通常在玻璃或柔性材料上形成铜凸柱和RDL），然后将芯片倒装键合到RDL微凸点上并灌注环氧填充（Underfill）保护；之后对整个模块进行模压覆盖；最后去载板，在RDL背面制备C4凸块与PCB或基板连接。Chip Last 适合更大尺寸、多芯片的封装（如ASIC与多片HBM），可叠加多层RDL实现更高密度的互连性能。➢ Chip First的优势在于技术成熟，成本相对低，封装整体厚度可以很薄，但是模压封装后难以补救RDL缺陷，RDL良率问题可能会导致已封装芯片报废，并且芯片模压过程容易发生移位和翘曲问题，限制线宽和层数扩展。而Chip Last可以在RDL制程前先检查良率，不会损失KGD芯片，且更容易实现低L/S，键合后填充Underfill作为缓冲，但是对芯片与RDL对准精度要求高，成本较高➢ 图表：chip first vs chip last芯片上制备Cu铜柱凸点在载板上完成排布，随后用模封料（EMC）或树脂进行填充与固化，并减薄，形成重构晶圆重构后的表面制作介电层+金属布线C4焊球（球栅）+ 切割载板载板芯片上制备Cu铜柱凸点先在载板（carrier）上制作RDL结构与硅桥，相当于先把“扇出布线基底”做好。将带Cu柱的芯片翻转，与载板上的RDL焊盘进行对准并键合（热压/回流/ACF等，取决于方案），随后进行底部填充C4焊球（球栅）+ 切割载板载板数据来源：《Large-size multi-layered fan-out RDL multi-chip module packaging》，金元证券研究所整理金元证券工业制造
