> 数据图表谁能回答先进封装技术演进-3D2026-1-1先进封装技术演进-3D➢ 倒装芯片（Flip Chip）技术通过受控塌陷芯片连接（C4）凸块支撑了高性能计算的发展。然而，当互连节距（Pitch）缩小至10μm-20μm区间时，传统的微凸块（Microbump）技术遭遇了难以逾越的“互连密度墙”。➢ 制约2.5D互连密度的主要由三个因素构成：首先是焊料桥接（Solder Bridging）风险。在回流焊过程中，熔化的焊料在表面张力作用下极易在狭窄的间距内发生短路，限制了凸块间距的进一步缩小；其次是金属间化合物（Intermetallic Compounds, IMC）的生成，随着焊料球体积的缩小，高电阻率且脆性的IMC在互连结构中的占比显著增加，导致信号路径的电阻急剧上升，严重恶化了电源完整性（Power Integrity）和信号完整性（Signal Integrity）；最后是底部填充（Underfill）工艺的挑战，在极窄的芯片间隙中，毛细管力难以驱动填充胶无空洞地流动，导致机械可靠性下降➢ 图表：焊料桥接问题➢ 图表：随着凸点变小，IMC占比增大，电阻率上行数据来源：Rudolph，《Material Properties of Zr–Cu–Ni–Al Thin Films as Diffusion Barrier Layer》，金元证券研究所整理金元证券工业制造
