> 数据图表请问一下先进封装技术演进-3D2026-1-1先进封装技术演进-3D➢ 键合可以实现3D晶圆堆叠、亚10微米超细间距以及无凸块设计，实现了极高的I/O密度、带宽和存储密度，从而带来显著的系统性能提升与封装高度缩减；然而，其大规模量产仍受制于多重技术瓶颈，包括对表面平坦化与洁净度的苛刻要求、互连对准的高精度门槛、高温退火可能引发的器件损伤，以及目前在吞吐量、良率控制、电气测试标准和纳米级计量检测方面存在的局限性。➢ 图表：键合工艺的优势及挑战优势挑战先进的3D晶圆堆叠允许三维堆叠，实现更高性能和系统设计灵活性。表面平坦化与洁净污染物会降低良率；需极高的表面洁净度以保证键合强度度。最大化 I/O 密度实现更快的数据传输速率，提升系统整体性能。互连重叠 (对准)错位导致连接不良；对低接触电阻至关重要。< 10μm 键合间距实现亚10微米间距，允许集成更微小的组件。高退火温度200°C 对敏感的高端逻辑/存储器件来说仍然过高。消除凸块需求无信号损耗，提升性能，并显著降低封装高度。吞吐量与良率受限键合机能力限制了大规模生产的速度和良率。更高的存储密度集成高密度存储器，在更小空间内存储更多数据。键合前后电气测试测试困难，且目前尚无统一的测试标准。高带宽，低延迟改善信号传输质量，扩展带宽。计量与检测纳米级测量（间距、粗糙度、平整度）难度大，检测复杂。数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
