> 数据图表一起讨论下先进封装技术演进-3D2026-1-1先进封装技术演进-3D➢ 直接键合，通常指不使用任何中间粘合剂，仅依靠分子间作用力将两个镜面抛光的表面结合在一起的技术。通常涉及电介质-电介质（Dielectric-to-Dielectric）的键合，最常见的材料是氧化硅（SiO2）或碳氮化硅（SiCN）。➢ 一般直接键合工艺包括表面活化与亲水性、退火、及TSV。晶圆表面必须经过极其严格的化学机械抛光（CMP），使其粗糙度（Ra）降低到0.5纳米以下。随后，通过等离子体（Plasma）处理进行表面活化。等离子体轰击会打断表面的Si-O键，形成高活性的悬挂键，并使其极易吸附环境中的水分；为了获得高强度的永久键合，必须进行热退火处理。通常在200°C至400°C的温度下，界面处发生脱水缩合反应。➢ 图表：直接键合工艺流程器件 + 金属层键合表面：介电层介电层介电层硅基底器件 + 金属层器件 + 金属层器件 + 金属层1. 器件和金属层 (ML) 制造硅基底硅基底硅基底2. 键合表面 (介电层) 的处理与制备3. 晶圆级键合、退火及验证4. 通过TSV制造互连 (穿过堆叠层或在使用牺牲键合层的器件之间)数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
