> 数据图表如何才能先进封装技术演进-3D2026-1-1先进封装技术演进-3D➢ 应用视角来看，TSV+微凸块是当前HBM键合的主要应用领域，其次3D NAND闪存裸片堆叠已是长江存储Xtacking工艺的核心工艺。未来，随着3D存储、MoL、LoL应用拓展，混合键合及直接键合或奖成为主流。裸片对裸片 (Die-to-Die)晶圆对晶圆 (Wafer-to-Wafer)混合键合Hybrid Bond• 存储器堆叠在逻辑芯片上 (MoL)• 逻辑芯片堆叠在逻辑芯片上 (LoL)• 逻辑芯片堆叠在存储器上 (LoM)• 存储器堆叠在存储器上 (HBM)直接键合Direct Bond• NAND 闪存裸片堆叠• 逻辑芯片堆叠在逻辑芯片上 (LoL)• DRAM CBA (CMOS键合阵列)裸片对晶圆 (Die-to-Wafer)芯片对芯片 (Chip-to-Chip)混合键合Hybrid Bond• 存储器堆叠在逻辑芯片上 (MoL)• 逻辑芯片堆叠在逻辑芯片上 (LoL)• 存储器堆叠在存储器上 (HBM)TSV + 微凸块• DRAM 堆叠在逻辑芯片上 (HBM)• DRAM 堆叠 (3DS)数据来源：金元证券研究所整理金元证券工业制造
