> 数据图表怎样理解先进封装技术演进-3D2026-1-1先进封装技术演进-3D背照式图像传感器3D NANDFlashHBMStacks存储LogicDDR6+下一代存储 SoC 分区 (SoC Partitioning)缩放/微缩 (Scaling)MicroLED 显示器器件堆叠结构光电二极管 + DRAM + 逻辑芯片NAND 模块 + 外围电路 (Periphery)12层以上堆叠DRAM 下方的外围电路MRAM,FeRAM, PCM 上的外围电路SoICSRAM + 逻辑芯片背面供电网络外延层 (EPI(BS PDN) (5nm 节点)layer) + 逻辑芯片W2WW2WW2W and/orD2WW2WW2WW2W and/orD2WW2WW2W键合工艺混合键合混合键合混合键合直接键合 直接&混合键合Hybrid混合键合直接键合W2W and/orD2W直接或者混合键合互联间距 2μm → 1μm 2μm → 1μm 5μm → 3μm 2μm → <1μm 2μm → <1μm 9μm → 2μm2μm取决于光刻机精度2μm → <1μm成熟度大规模量产大规模量产研发阶段研发阶段研发阶段产能爬坡产能爬坡产能爬坡产能爬坡Sony (System+)YMTC (System+)Xperi (ECTC2020)IMEC (PTW21)IMEC (PTW21)TSMC WoW SoIC IMEC Collaboration IMEC Collaboration数据来源：EVG，金元证券研究所整理金元证券工业制造
