> 数据图表谁能回答先进封装市场-2.5D、3D工艺价值量高2026-1-1先进封装市场-2.5D、3D工艺价值量高➢ 从单位封装成本来看，不含基板价值量中由于使用Si中介层、模塑中介层嵌入硅桥技术良率、工艺复杂度相对较高，单位价值量较高。存储应用中，HBM整体高于CBA DRAM、3D NAND闪存。➢ 图表：2.5D、3D封装单位成本封装技术名称HBM3D堆叠3D NAND 闪存堆叠CMOS 键合阵列 DRAM（CBA DRAM）3D SoC硅中介层 – CoWoS-S (台积电技术)模塑中介层-CoWos-L(台积电技术)模塑中介层 – FOEB (扇出型嵌入式桥接)模塑中介层 – InFo-LSI（台积电技术）有源硅中介层 – Foveros (英特尔技术)嵌入式硅桥 – EMIB (英特尔技术)模塑中的嵌入式硅桥嵌入式硅桥 + 有源硅中介层 – Co-EMIB超高密度扇出 – CoWoS-R (利用RDL布线，台积电技术))超高密度扇出 – InFO-oS (基板上扇出，台积电技术) 及其他数据来源：Yole，金元证券研究所整理2024 ASP（$）2025 ASP（$）ASP/mm²（$/mm²）14.314.852.592.596.52201.9245.88184.4133.1729.653.0317.184.852.572.576.26174.3248.33186.253929.53.030.210.060.020.020.050.10.130.10.060.320.070.92-2.040.92-2.040.02-0.0441.0770.6327.7740.8171.727.80.07(EMIB)-0.32(Foveros)0.0740.054金元证券工业制造
