> 数据图表各位网友请教一下2.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新
2025-11-22.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新 先进封装核心互联技术• 先进封装的另一重要的迭代方向体现在多芯片间协同和堆叠集成上（即系统级封装SiP）。先进封装高密度集成的实现主要依赖于四个核心互联技术：凸块工艺（Bumping）、重布线技术（RDL）、硅通孔技术（TSV）、混合键合（Hybrid Bonding）。Bumping工艺流程 Bumping：互联技术的基础••Bumping是一种先进的晶圆级工艺技术，在将晶圆切成单个芯片之前，在晶圆上形成由焊料制成的“凸点”或“球”。这些“凸块”可以由共晶、无铅、高铅材料或晶圆上的铜柱组成，是将芯片和基板连接在一起的基本互连组件。这些凸点不仅提供了芯片和基板之间的连接路径，而且对倒装芯片封装的电气、机械和热性能也起着重要作用。在晶圆凸点制作中，金属沉积占到全部成本的50%以上。Bumping的工艺流程包括晶圆准备、凸点形成、芯片接合以及封装测试。在凸点形成中， 需 要 在晶圆表面通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技术，沉积一层金属膜，如铜、镍、锡等。这一步骤被称为金属化，为后续形成焊点做准备。 接 下 来 通过在金属化层上涂覆光刻胶，然后通过光刻曝光、显影等步骤，形成光刻图形，即将焊球位置的图形暴露出来。 最 后 使用酸性或碱性溶液对未被光刻保护的金属层进行蚀刻， 并 通过电镀或其他方法，沉积焊球材料（通常是锡合金）来形成微小的焊球。资料来源：久阳润泉，安泊智汇官网，深圳市凯意科技有限公司管网，平安证券研究所13 
