> 数据图表各位网友请教一下2.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新
2025-11-22.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新 先进封装核心互联技术——TSV：集成堆叠技术实现核心••TSV 是通过在芯片与芯片之间、芯片与晶圆之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通路径，以实现芯片之间互连的技术。TSV可以通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通信，增加带宽和实现小型化。TSV 技术根据应用大致可以分为芯片内部垂直互连、2.5D 封装集成、3D 封装集成 3 类，并被广泛应用于互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器、硅锗功率放大器、现场可编程门阵列（FPGA）、动态随机存取存储TSV制造工艺流程器（DRAM）、微机电系统（MEMS）等产品。TSV技术应用分类可分为三大类，分别是芯片内部垂直互连、2.5D封装中的TSV和3D封装。 芯片内部垂直互连：是指通过 TSV 形成垂直通道，将芯片正面焊盘引出到芯片背面，不涉及芯片/芯粒之间的互连集成。 2.5D封装：TSV 通常被设置在无源硅中介层中。单个无源硅中介层与封装载板、扇出封装等技术相结合，形成布线密度远高于 ABF 载板的中介层，从而满足异质异构芯片之间的高速互连需求。 3D封装：TSV 通常被设置于无源硅中介层或有源硅中介层中。通过无源或有源硅中介层配合微凸块键合或混合键合技术，实现芯片间的垂直堆叠互连，从而满足异质异构芯片之间的高速互连需求。资料来源：《Redistribution layers (RDLs) for 2.5D/3D IC integration》John H Lau等，半导体封测与测试技术应用,平安证券研究所15 
