> 数据图表请问一下2.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新
2025-11-22.1.2 多芯片集成突破，互联技术驱动2.5D/3D/Chiplet革新 先进封装核心互联技术——Hybrid Bonding：重塑芯片级互联密度极限• 随着封装技术持续演进，键合设备的精度要求和能量控制标准显著提升。Besi数据显示，在最新混合键合技术推动下，键合精度已从传统的5-10/mm²大幅跃升至10K-1MM/mm²，能量消耗同时降至每比特不到0.05pJ。其中混合键合采用铜触点替代传统引线，实现晶圆间直接电气互连，使互连密度相比过去混合键合技术工艺流程与键合界面图Cu-Cu混合键合原理SONY IMX 260键合界面提升逾十倍。• 混合键合的显著特征是其无凸点特性，从基于焊料的凸点技术转向直接的铜对铜连接。在混合键合结构中，上层芯片和下层芯片紧贴在一起，中间没有任何介质材料。两个芯片都具有铜焊盘，而不是凸点，这些焊盘可以缩小到远低于10微米的超精细间距，路线图甚至延伸到数百纳米级别。与基于焊料的互连相比，这种直接铜连接的电阻要低得多，因此在芯片间传输数据时功耗显著降低。目前为止，混合键合技术已实现亚10μm的互连间距，在AI、图像传感器等领域应用广泛。• 直接Cu–Cu键合主要有两大类：Cu–Cu热 压键 合（ TCB）和 Cu–Cu无凸点直接键合互连（DBI）（混合键合）。大多数直接Cu–Cu TCB技术需要在高温（通常为350°C–400°C）和高压力下进行，以驱动Cu原子在界面处扩散并形成整体铜结构。混合键合则是将介电材料（如SiO₂、SiCN和聚合物）的键合与金属（如铜）的键合结合起来，实现互连。资料来源：《面向高密度互连的混合键合技术研究进展》白玉斐等，国际精密陶瓷暨功率半导体展，逍遥设计自动化，未来半导体，半导体材料与工艺设备，平安证券研究所16 
