> 数据图表如何了解2.2.1 3D Fabric台积电引领方案，CoWoS性能优异
2025-11-22.2.1 3D Fabric台积电引领方案，CoWoS性能优异 CoWoS+Info+SOIC方案引领先进封装技术路线• 除2.5D封装CoWoS外，台积电的先进封装产品矩阵3D Fabric还包括后端InFO、以及前端3D整合SoIC 。 InFO：集成扇出型晶圆级封装是一种晶圆级系统集成技术平台，具有高密度 RDL（再分布层）和 TIV（通过InFO通孔）以实现高密度互连和性能。相较于在硅晶圆中间布线做连接的CoWoS技术，InFO封装把硅中介层换成了polyamide film材料，从而降低了单位成本和封装高度。这也是InFO技术在移动应用和HPC市场成功的重要原因。 台积电的 SoIC 技术采用 TSV、HB 等技术，可以台积电整体3D Fabric方案实现10μm 以下互连间距的高密度3D集成，并具有较高的带宽、较低的功耗以及优异的电源与信号 完 整 性 。 相比同等的DIP封装，SoIC能够减少约30%-50%的空间和70%左右的厚度；这意味着在10纳米以下的制程，使用SoIC技术封装的芯片能在接近相同的体积里，增加双倍以上的性能。第四代SoIC技术的互连节距可以小至3μm，第五代技术有望减小至 2μm。另外，台积电也提出了更高互连密度的SoIC-UHD技术，有望将互连节距降低至0.9μm。资料来源：TSMC官网，半导体行业观察，半导体封装与测试技术应用，未来半导体，平安证券研究所19 
