> 数据图表谁能回答2.2.1 3D Fabric台积电引领方案，CoWoS性能优异
2025-11-22.2.1 3D Fabric台积电引领方案，CoWoS性能优异 英特尔与三星在2.5D/3D上同样重点部署• 三星和英特尔也将先进封装技术作为发展重点，都已完成2.5D/3D 封装部署： 三星电子以I-Cube和X-Cube为核心的技术体系，分别覆盖2.5D和三星SAINT3D IC封装领域。I-Cube技术细分为I-Cube S、I-Cube E以及衍生的H-Cube三种方案，可以通过不同的中介层设计满足多样化需求。此外，依托自身在存储领域的优势，三星推出SAINT技术体系，创新3D堆叠方案，构筑独特竞争力。其中，SAINT-D技术彻底改变了传统2.5D封装中通过硅中介层水平连接HBM与GPU的模式。它采用热压键合（TCB）工艺实现HBM的12层垂直堆叠，成功消除了对硅中介层的依赖，不仅简化了结构，更带来显著性能提升。 英特尔在2.5D封装方面，EMIB技术可以通过硅桥连接裸片，避免使用硅中介层，实现高带宽互连。其最新推出的EMIB-T技术引入TSV通孔供电 ，支持 HBM4集成， 信号传输速 度达 32Gb/s，兼容UCIe 2.0协议，可满足AI系统多芯片互联需求。在3D封装领域，Foveros技术实现不同工艺、功能芯片的垂直堆叠，提供高度灵活性，支持设计人员混合搭配各类芯片模块，在提升性能的同时降低功耗。资料来源：芯智讯，半导体行业观察，摩尔芯球，平安证券研究所英特尔EMBI（左）与Foveros（右）20 
