> 数据图表想问下各位网友2.2.2 HBM高带宽存储配套，与CoWoS成黄金组合
2025-11-22.2.2 HBM高带宽存储配套，与CoWoS成黄金组合 HBM 3D堆叠实现高带宽、高容量、低延时和低功耗••AI模型数据规模大、计算密集以及数据移动频繁，需要AI芯片和内存配合工作。目前半导体存储形成了以DRAM和NAND为主的产品构成格局，然而AI芯片的性能以每年大约55%速度快速提升，而DRAM性能的提升速度为每年10%左右，不均衡的发展速度造成了内存的存取速度严重滞后于处理器的计算速度，因此形成“内存墙”和“带宽墙”。HBM是一种基于TSV（硅通孔）及3D堆栈工艺的高性能DRAM。HBM采用硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高位宽的DDR组合阵列，从而克服单一封装内的带宽限制。HBM堆栈层数8/12层为主流往16/20层迈进，由于封装厚度受限于775微米(um)，因此混合键合(HybridBonding)成为一项重要技术。内存墙与带宽墙的原理HBM原理与结构图内存墙带宽墙 存储的数据及参数有限+缓存不足导致命中率 数据吞吐量有限+参数更新速度慢+并行处理低+频繁访问参数，效率低能力弱资料来源：《Al and Memory Wall》A.Gholami等，半导体行业观察，全球半导体视察，芯存社，平安证券研究所21 
