> 数据图表如何了解2.2.2 HBM高带宽存储配套，与CoWoS成黄金组合
2025-11-22.2.2 HBM高带宽存储配套，与CoWoS成黄金组合 HBM快速迭代演进，市场规模快速扩容•HBM已成功导入多家厂商的高性能算力平台。HBM3E DRAM是解决AI算力瓶颈的关键存储器技术，凭借超过1TB/s的总线速度，成为NVIDIA、AMD、Intel新一代AI芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必备元件。据TrendForce，从HBM用量来看，2024年主流H100搭载80GB HBM3，2025年英伟达Blackwell Ultra或AMD MI350等主力芯片，搭载达288GB的HBM3e，单位用量成长逾3倍。• 据Mordor intelligence预测，全球HBM市场规模将从2025年的31.7亿美元增长至2030年的101.6亿美元，年复合增长率（CAGR）高达26.24%。近期，HBM技术仍在快速迭代中，美光科技在财报电话会议上表示，公司已向客户交付了带宽最高提升至11Gbps（千兆位/秒）的HBM4样品，并计划于2026年上半年出货首批产品。HBM迭代演进图全球HBM市场规模预测（亿美元）HBM1发布时间2014年HBM22016年HBM2E2019年HBM3HBM3E2022年2024年主要厂商 SK海力士(和AMD共同推出) 三星、SK海力士三星、SK海力士SK海力士SK 海力士封装技术2.5D封装，TSV2.5D封装，TSV和微凸块2.5D封装，TSV和微凸块，SK海力士MR-MUF2.5D封装，TSV，SK海力士MR-MUF2.5D封装，SK海力士MR-MUF4堆叠层数4层4层和8层4层和8层12层12层存储密度1GB内存单个堆栈容量8GB 单颗最大容量16GB 容量提升到24GB24GB或36GB容量带宽128GB/s256GB/sSK海力士产品达460GB/S819GB/s1229GB/S120100806040200CAGR 26.24%101.631.720252030资料来源：半导体产业纵横，TrendForce集邦，Mordor intelligence，集微网，全球半导体观察，平安证券研究所22 
