> 数据图表各位网友请教一下WSeTSC 异质结构中的铁电近邻对称性破缺示意图2026-5-12026 年 5 月，新加坡国立大学王心云、Magdalena Grzeszczyk、Maxim Trushin 等团队在 Nature 子刊Nature Communications发表题为Ferroelectric brightening of spin-forbidden dark excitons in a WSehybrid-perovskite heterostructure的研究论文。论文聚焦单层 WSe中的自旋禁阻暗激子光学操控问题，提出利用铁电杂化钙钛矿与 WSe形成范德瓦尔斯异质结，通过铁电近邻效应打破 WSe面内旋转对称性，使原本需要强外磁场才易被光学访问的暗激子在零磁场条件下发光增强。 暗激子因寿命较长，被认为有望承载自旋和谷信息，但其“暗”的本质也带来读取与操控难题。在单层 WSe中，带边激子包含严格暗激子和灰激子等精细结构，常规实验通常依赖面内磁场混合自旋态来观察暗激子发光。对于面向谷电子学、量子信息和二维材料光电子器件的应用而言，外加磁场不仅增加系统复杂度，也限制了器件化可行性。因此，如何在不引入强磁场的条件下调控暗激子振子强度，是该领域的重要问题。 研究团队选用面内铁电杂化钙钛矿（TMA）SbCl作为 TSC 基底，并将单层WSe转移其上形成垂直异质结构。论文指出，TSC 的面内铁电极化会在界面处产生束缚电荷和静电势，相当于向相邻 WSe层“印刻”一个方向性的面内电场。由于 TSC 表面无悬挂键，有利于形成较洁净的范德瓦尔斯界面同时其带隙大于WSe，可降低光激发过程中的界面电荷转移干扰。研究团队还通过二次谐波产生和拉曼光谱表征，确认异质结中 WSe的对称性被降低，且这种变化来自铁电近邻作用而非简单的光谱叠加。国泰海通综合其他
