> 数据图表你知道. 紫光国芯 SeDRAM2026-1-5例如紫光国芯 SeDRAM技术，创新性地通过 Wafer-to-Wafer（WoW）3D 堆叠，实现了数十 TB 的内存访问带宽和数十 GB 的存储容量，突破了传统存储方案的性能瓶颈。该技术摒弃了 HBM 或 DDR存储方案中的 PHY-PHY 互连结构，采用金属层垂直互连的方式，大幅降低了访存延迟和功耗。紫光国芯的 SeDRAM技术已演进至第四代，其采用标准化 IP 交付，完全兼容传统的 SoC 设计和生产流程，助力用户缩短产品研发周期、最大化提升产品性能。该技术现已成功支持包括知名厂商在内的近 40 款芯片产品的研发与量产。中银国际综合其他
