> 数据图表咨询下各位存储供给未来周期图(中国的机会及产业链的机会)2025-12-4存储供给未来周期图(中国的机会及产业链的机会)存储器分类：光学+磁性+半导体半导体存储关键技术进展：NAND+DRAMDRAM/NAND Flash存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达95+%性能分类原理示意图通过电子隧穿进浮栅关键制程节点276L技术路径3D NAND791亿美元791亿美元通过电容存储电荷10nm(1β)HBM(高带宽存储)DRAM: CR3达97%NAND Flash: CR5达95%NOR Flash: CR3达63%959亿美元656亿美元28亿美元三星$398亿(占42%)SK海力士$330亿(占34%)三星$234亿(占36%)SK海力士(含Solidigm)$140亿(占21%)其他$10亿(占37%)华邦$8亿(占27%)美光$206亿(占22%)其他Kioxia$95亿(占14%)美光$85亿(占13%)WDC$72亿(占11%)其他兆易创新$5亿(占19%)旺宏$5亿(占17%)产业周期：存储周期通常为3-4年，是半导体风向标供给侧：各原厂积极扩产HBM，25年资本开支预计高于原计划同比YoY同比YoY全球存储芯片市场规模(亿美元，3MMA)存储芯片平均单价(美元/颗，3MMA)市场规模：存在周期性波动，当前已进入上行周期10/299110/499110/699110/899110/000210/200210/400210/600210/800210/010210/210210/410210/610210/810210/020210/220210/4202存储价格：AI带动终端需求回暖，当前价格仍处上涨阶段150%100%50%0%-50%-100%12108642010/299110/499110/699110/899110/000210/200210/400210/600210/800210/010210/210210/410210/610210/810210/020210/220210/4202存储原厂2024年 (扩产/提高投资)2025年 (进一步扩产/提高投资)铠侠3月NAND Flash产能利用率恢复至90%西部数据/闪迪 2024年继续严格控制资本开支美光2024财年资本支出81亿美元(高于此前规划)，同比略增，主要支持HBM3E扩产计划将资本支出控制在营收的20%以内，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，在五年内(2024-2029财年)将产能翻一番公司总体目标是尽可能实现100%的产能利用率2025财年资本支出计划保持不变，约为140亿美元(同比+73%)，其中大部分将用于支持HBM，以及设施建设、后端制造和研发投资SK海力士为满足HBM扩产和M15X的新投资决定，2024年资本支出约18万亿韩元，较年初计划略有增加将2025年资本支出上调30%至203亿美元(高于原计划的154亿美元)，其中大部分将用于HBM生产三星将超过20%的DRAM生产线转换为HBM生产线，2024年资本开支为53.6万亿韩元已在平泽P4园区启动首条1c DRAM量产线并追加投资，预计将达到每月4万片晶圆产能；并计划将华城17号线转换为1c产能，1c制程计划将用于HBM4生产80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%光学存储存储器磁性存储半导体存储2024年市场规模1655亿美元，占半导体市场规模超1/4的比重CDDVD磁盘软盘机械硬盘非易失性存储易失性存储存储产业链结构上游-原材料+设备NAND Flash(占比39.7%)NOR Flash(占比1.7%)EEPROM等DRAM(占比57.9%)SRAM等NAND FlashDRAM硅片PCB电阻/电容/电感光刻机CMP设备刻蚀设备薄膜沉积设备封测设备中游-存储器模组制造存储芯片设计Fabless主控芯片存储晶圆制造IDM(原厂)器件/模组封测模组厂商&封测厂商160140120100806040200行业概况产业链及产业周期供需格局公司分类下游-应用领域移动终端摄影/监控电脑/服务器……汽车电子需求侧1：AI服务器存储量价齐升，AI算力催化HBM需求激增需求侧2：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长Yole预计26年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达35%，CAGR(24~30)将达33%→总存储容量需求数倍增长行业规律：每投资1美金算力→对应投资 0.5美金存储AI手机/AI PC对存储需求升级→单机平均容量翻2/4倍+移动终端出货量稳定据测算：较普通服务器相比，AI服务器需求的HBM单机价值量达1.8万美元据Yole预测：2026年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达34%HBM市场规模(十亿美元)占DRAM市场比重(%)1601208040018%10%2%35%26%34.046.045% 49% 49% 50%59.071.083.098.020222023202420252026202720282029203080%60%40%20%0%手机单机平均NAND容量：128GB→256GB\512GBPC单机平均NAND容量：512GB→1TB20100全球智能手机出货量(亿部)全球PC出货量(亿台）13.010.214.414.714.713.913.712.913.512.111.612.33.23.12.82.62.62.62.73.03.52.92.52.6201320142015201620172018201920202021202220232024刻蚀设备薄膜沉积设备光刻机存储晶圆存储芯片设计存储模组主控芯片封装测试境外(含港澳台)LamTELAMAT中国大陆北方华创中微公司境外(含港澳台)TEL应用材料中国大陆拓荆科技北方华创境外(含港澳台)ASML尼康佳能中国大陆华卓精科境外(含港澳台)美光三星SK海力士中国大陆长江存储长鑫存储境外(含港澳台)三星铠侠SK海力士中国大陆兆易创新北京君正东芯股份普冉股份境外(含港澳台)Kingston中国大陆江波龙佰维存储德明利朗科科技境外(含港澳台)Marvell慧荣科技中国大陆联芸科技得一微境外(含港澳台)日月光13中国大陆深科技华天科技长电科技通富微电数据来源：IDC，WSTS，Omdia，Counterpoint，Statista，Yole，Gartner，ScienceDirect，TechInsights，Applied Materials，半导体行业观察，闪存市场，TrendForce，各公司官网，长城证券产业金融研究院 13零件类型显存HBMDRAM存储AI服务器(美元)1800017000成本占比普通服务器成本占比(%)9%9%(美元)(%)-0%660017%硬盘SSD+RAID1900010%1240031%总成本200000100%40000100%价值量提升金额(美元)18000104006600160000长城证券综合其他
