> 数据图表你知道海外存储原厂资本开支计划 2025-12-1存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支。DRAM市场方面，根据TrendForce集邦咨询，2026年，美光资本支出较为积极，计划投入135亿美元，年增23%，聚焦1 gamma制程渗透与TSV设备建置SK海力士支出预计为205亿美元，年增17%，用于HBM4产能扩张三星则投入200亿美元，年增11%，推进HBM的1C制程渗透并小幅增加P4L晶圆产能。NAND Flash领域，无DRAM业务的铠侠闪迪扩产最积极，计划投45亿美元，年增41%美光拟小幅增加NAND产能，专注G9制程与企业级SSD业务，资本支出年增63%三星、SK海力士等则缩减或限制NAND支出，优先将投资转向HBM与DRAM领域。万联证券科技传媒
