请问一下工艺向 3D NAND 迁移后设备支出变化：沉积、刻蚀投入快速攀升

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2025-12-0

随着制程演进逼近物理极限，晶体管由平面向 FinFET、GAA 乃至 CFET 等三维结构演化，器件密度与互连结构复杂度大幅提升，使制造瓶颈从光刻明显转向材料沉积与刻蚀环节。根据 Applied Materials，当制程从 3Xnm、1Xnm 过渡至 3D 架构后，沉积与刻蚀投入呈倍数级抬升。