> 数据图表各位网友请教一下不同工艺演进下沉积与刻蚀设备单晶圆 SAM 相对整体 WFE 投资强度显著抬升2025-12-0根据 Lam Research，不同工艺体系在制程演进过程中对沉积与刻蚀设备的依赖度均显著提升，单位晶圆对应的可服务市场（SAM）相对整体 WFE 的投入强度呈现结构性上升。其中，3D NAND 随堆叠层数由 100 层向 200 层及多 deck 架构推进，通道孔与层间结构加工的沉积刻蚀循环数大幅增加，对应单位晶圆沉积刻蚀设备SAM 提升约 1.8 倍DRAM 在电容形貌与堆叠结构愈加复杂、高深宽比刻蚀需求抬升的背景下，相关 SAM 提升约 1.7 倍先进逻辑Foundry 随 FinFET GAA CFET 结构迭代，图形密度提升与互连层数增加显著推高 HAR Etch、ALD 等关键工艺的处理量，单位晶圆 SAM 提升约 2.0 倍。爱建证券综合其他
