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谁能回答3D NAND 堆栈增加下的 CMP 步骤变化

2026-6-3
谁能回答3D NAND 堆栈增加下的 CMP 步骤变化
液、抛光垫以及 CMP 后清洗液等耗材用量同步增加在钨、铜、氧化硅、多晶硅及新金属材料引入过程中,不同膜层对抛光选择比、缺陷控制和表面粗糙度提出更高要求,推动 CMP 耗材从用量扩张走向品类升级。