咨询下各位碳化硅器件制造成本占比结构

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咨询下各位碳化硅器件制造成本占比结构

2026-6-5

模化普及的重要抓手。当前行业处于尺寸迭代关键窗口期：6 英寸导电型衬底仍是出货主流，但 6 英寸器件赛道竞争已进入红海8 英寸经济性逐步被验证，成为当前竞争主战场12 英寸代表下一代技术方向，是全球产业话语权的重要争夺点。国内厂商在本轮升级中实现跨越式突破，头部企业已完成 8 英寸碳化硅衬底规模化量产，带动国内形成从材料到器件的完整 8 英寸技术生态，同时率先推进 12 英寸全系列产品技术攻关。长期来看，大尺寸升级将推动衬底成本中枢持续下移，加速多场景替代渗透，同时抬高行业壁垒，推动产能出清与份额向头部集中，国内领先厂商的全球产业话语权将稳步提升。三、投资建议当前碳化硅行业正处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注以下优质标的：士兰微：国内综合型半导体 IDM 核心厂商，深耕 SiC 功率器件领域，6 英寸 SiC 功率器件芯片产线已形成月产 1 万片 MOS上量，8 英寸 SiC 功率器件芯片产线 2025 年四季度通线，月产能 5000片，预计 2026 年下半年投产自主研发的代 SiC-MOS厂商认证并批量应用于 AI 算力中心电源，配套高性能中低压 MOS同步出货，第代 SiC 芯片与模块已完成客户评测并批量交付。新洁能：国内功率半导体核心厂商，MOS体产品广泛适配 AI 服务器及数据中心的电源单元、电压调节模块、HVDC 系统、SST 等关键环节。公司自主研发的 SiC MOS能效对标欧美竞品，第 2 代、2.5 代 SiC MOS盖 650V750V900V1200V1700V 电压段第三代 SiC MOS平台完成工艺开发，相关产品处于可靠性验证阶段。天岳先进：全球宽禁带半导体材料行业龙头，据日本富士经济数据，2025 年导电型 SiC 衬底全球市占率达 27.6%，位列全球第一公司已实现 8 英寸 SiC 衬底量产，率先完成 2 英寸至 8 英寸 SiC 衬底商业化，并推出 12 英寸 SiC 衬底产品，掌握 SiC 衬底生产环节核心技术目前已与全球前十大功率半导体器件制造商中半数以上建立合作，产品广泛应用于新能源汽车、AI 数据中心等终端领域，并持续拓展先进封装等新兴应用场景。风险提示：技术迭代不及预期，国产替代进度不及预期，下游需求波动，供给超预期释放，原材料价格波动。

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