> 数据图表谁能回答1.3 mSAP工艺下钻孔/曝光/电镀/成型环节均有受益2026-6-41.3 mSAP工艺下钻孔/曝光/电镀/成型环节均有受益◆ mSAP工艺对设备提出了更高的要求。◆ ①曝光设备：线宽线距降低至15μm，LDI设备需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度，确保细线路图形的精准呈现，芯碁微装LDI设备已经实现15μm线宽线距能力；另外洪镭光学也有对应设备布局（洪田股份子公司）。◆ ②钻孔设备：孔径缩小至50μm左右，相比于CO2激光钻，超快激光钻加工小孔能力更强，成为更优的解决方案，大族数控目前已有成功案例（超快激光钻与头部客户均有接触，实现批量化）。◆ ③电镀设备：需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀、无凹陷，东威科技已经实现mSAP工艺VCP电镀设备（移载式VCP-红板、沪电）量产，另外水平三合一也拿到可观订单（沪电7条线）；另外东莞速远也有对应设备出货（洪田股份子公司）。◆ ④成型设备：1.6T光模块PCB面积小结构复杂，对于分板成型提出更高需求，CCD锣机成为1.6T光模块PCB成型的优质方案，大族数控目前已有成功案例，与兴斐合作开发CCD锣机。图：三孚新科mSAP工艺VCP电镀线指标传动方式生产速度均匀性板厚参数框架式电镀挂具升降式0.3-0.8m/min20±1.5μmMin:0.034 Max:2mm通孔孔径孔径Min:50μm AR比max: 8:1盲孔孔径 孔径Min:25μm AR比max: 1.2:1数据来源：三孚新科，东吴证券研究所8东吴证券综合其他
