> 数据图表我想了解一下012026-6-001金刚石热沉与半导体的连接主要方式Ø 两种直连方式• 通过沉积工艺实现直接连接直接沉积金刚石膜可提升器件正向散热，但热膨胀失配易造成外延层开裂；且 CVD 高温氢等离子体环境会刻蚀硅、碳化硅、氮化镓材料，损害器件电学性能。• 通过低温键合实现直接连接先完成半导体外延制备，剥离衬底后与金刚石基板低温键合。单晶、多晶金刚石均可用作散热基底，材料可分开预制，简化器件制程。该工艺对接触面平整度、翘曲度、粗糙度要求严苛，加工难度高；键合压力、时长把控难度大，样品易破损，大尺寸芯片量产受限。Ø 多种间接连接方式间接连接成熟方案包括金属间接封装互联，主流工艺包含软钎焊、瞬时液相扩散焊、纳米银低温烧结等现有金刚石与半导体器件连接工艺的技术路线图资料来源：《金刚石热沉与半导体器件连接技术研究现状与发展趋势》、浙商证券研究所7浙商证券能源矿产
