DRA M 是主流的易失型半导体存储器，主要用于数据和程序的临时存储。作为处理器与外存进行数据交互的关键桥梁，DRAM 通常也被称为内存芯片，并广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各类电子设备及系统。DRAM 的每个存储单元仅由一个晶体管和一个电容器1T1C构成，通过电容的充放电状态表示数据位0 或 1，其中电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容器，以便读取存储的电荷量或存储新的电荷。为实现DRA M 完整功能，在外围区域，还包含控制逻辑、感测放大器及行列解码器三类外围电路 。
